基本信息
文件名称:集成电路制造工艺课件.ppt
文件大小:11.39 MB
总页数:108 页
更新时间:2025-07-17
总字数:约5.06千字
文档摘要
SiO2的製備方法熱氧化法幹氧氧化水蒸汽氧化濕氧氧化幹氧-濕氧-幹氧(簡稱幹濕幹)氧化法氫氧合成氧化化學氣相澱積法熱分解澱積法濺射法進行幹氧和濕氧氧化的氧化爐示意圖化學汽相澱積(CVD)化學汽相澱積(ChemicalVaporDeposition):通過氣態物質的化學反應在襯底上澱積一層薄膜材料的過程CVD技術特點:具有澱積溫度低、薄膜成分和厚度易於控制、均勻性和重複性好、臺階覆蓋優良、適用範圍廣、設備簡單等一系列優點CVD方法幾乎可以澱積積體電路工藝中所需要的各種薄膜,例如摻雜或不摻雜的SiO2、多晶矽、非晶矽、氮化矽、金屬(鎢、鉬)等化學汽相澱積(CVD