Si(111)衬底上GaN薄膜生长及应变调控：技术、挑战与展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代半导体材料领域，氮化镓（GaN）薄膜凭借其卓越的性能，成为了研究与应用的焦点。GaN作为一种宽带隙半导体材料，带隙高达3.4eV，远高于硅（Si）的1.1eV。这一特性赋予了GaN薄膜在高温环境下仍能保持良好电气性能的能力，使其在高温电子器件领域展现出巨大的应用潜力，如在航空航天、汽车电子等高温工作环境的电子设备中，GaN薄膜有望成为关键材料，提升设备的稳定性和可靠性。

GaN薄膜还拥有高达2024cm2/V?s的电子迁移率，远超硅材料。高电子迁移率使得GaN在高