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文件名称:2025《4H-SiC肖特基二极管工艺制备分析概述》3600字.docx
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更新时间:2025-07-19
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文档摘要
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4H-SiC肖特基二极管工艺制备分析概述
目录
TOC\o1-3\h\u301854H-SiC肖特基二极管工艺制备分析概述 1
246461.14H-SiCSBD结构图 1
303691.2具体工艺流程介绍 1
255141.3常用的肖特基二极管表征技术 6
150841.3.1X射线衍射(XRD) 6
35881.3.2扫描电子显微镜(SEM) 6
118651.3.3透射电子显微镜(TEM) 7
214871.3.4能量色散X射线光谱仪(EDX) 7
1.14H-SiCSBD结构图
下图所示即为肖特