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SiC

单晶碳化硅（）具有极其优异的材料特性，广泛应用于新能源汽车、航

空航天和智能电网等众多领域。在高功率和极端工作条件下，相比于传统的硅

器件，SiC器件表现出更优异的性能。然而，SiC具有硬度高、脆性大和化学性

质稳定等特点，导致加工后的SiC晶圆表面质量难以达到SiC器件的要求。同

SiC

时加工工艺面临着加工效率低，成本高，且磨料易团聚，酸碱性抛光废液