MoC合金4H-SiC肖特基二极管研究概述

目录

TOC\o1-3\h\u5846MoC合金4H-SiC肖特基二极管研究概述 1

147941.1不同退火温度下的I-V特性 1

118441.2不同退火温度下的C-V特性 4

176711.3肖特基二极管的表征分析 6

162851.4二极管的击穿特性研究 7

1.1不同退火温度下的I-V特性

将样品分别置于600、700、800、900、1000℃下进行1min的高温退火，绘制出各退火温度下的I-V特性曲线，探究退火处理对碳化硅肖特基二极管电学特性的影响。

图4-1Mo-C合金/4H-SiC肖特基接