;二、前端工艺（FEOL，FrontEndofLine）1.器件结构制备

阱区注入（WellImplant）

通过离子注入在硅片中形成N阱和P阱，用于隔离丌同类型的晶体管（如NMOS和PMOS）。

注入离子类型：N阱注入磷（P）或砷（As），P阱注入硼（B）。

退火处理：通过高温退火激活注入离子，并修复硅片晶格损伤。

栅极结构形成栅氧化层生长：在有源区表面生长高质量的薄氧化层（栅

氧，约几纳米厚），作为晶体管栅极的绝缘层。多晶硅沉积不刻蚀：沉积多晶硅层作为栅极电极，通过

光刻和刻蚀形成栅极图形。侧墙形成：在栅极两侧沉积氮化硅或氧化硅层，刻蚀后

形成侧墙（S