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文档摘要

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;2.沉积薄膜层通过物理气相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）在基板上逐层沉积半导体、绝缘和导电材料。

①栅极绝缘层（GateInsulator）材料：二氧化硅（SiO?）或氮化硅（SiN?），通过PECVD

（等离子体增强化学气相沉积）沉积，作为栅极与有源层的绝缘层。

②有源层（ActiveLayer）材料：非晶硅（aSi）或氧化物半导体（如IGZO），通过

PECVD沉积后，经激光退火（LTA）或热退火形成多晶硅

（pSi），提升电子迁移率。

③源漏电极层（Source/DrainMetal）材料：铝（Al）、钼（Mo）或铜（Cu），通过溅射（