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电子证书考试试题综合测试（二）

1.P型半导体主要靠（）

A.空穴导电(正确答案)

B.自由电子导电

2.反向电流受温度影响比较明显的是（）

A.硅二极管

B.锗二极管(正确答案)

3.下列选项中，增强型N沟道绝缘栅场效应管的电路符号是（）

A.

B.(正确答案)

4.直流放大器级间耦合方式釆用（）

A.直接耦合(正确答案)

B.电容耦合

5.乙类推挽功率放大电路中，功率放大管静态工作点设置在三极管的（）

A.饱和区

B.截止区(正确答案)

6.硅二极管的死区电压约为（）

A.0.5V(正确答案)

B.0.1V

7.共发射极基本放大电路输出回路的直流通路如题一(2)图所示，直流参数的关系