基于虚拟晶格与晶格反演的Ⅲ族氮化物原子间相互作用势构建与探究.docx

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更新时间：2025-07-24

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文档摘要

基于虚拟晶格与晶格反演的Ⅲ族氮化物原子间相互作用势构建与探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，Ⅲ族氮化物凭借其独特的物理性质和卓越的性能，逐渐崭露头角，成为了现代半导体领域的关键材料体系之一。Ⅲ族氮化物主要包括氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、氮化铟（InN）以及它们之间的合金材料，如铝镓氮（AlGaN）、铟镓氮（InGaN）等。这些材料具有直接且宽带隙的特点，其禁带宽度在室温下可在1.9-6.28eV的范围内连续调节，这一特性使得它们在光电子、电力电子和射频电子等多个关键领域展现出了巨大的应用潜力。