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文档摘要

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化学气相沉积法制备ZnO纳米线阵列及其多元应用探索

一、引言

1.1ZnO纳米线阵列概述

ZnO作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，具有良好的化学稳定性、压电性、光电性等特性，在光电器件、传感器、催化等领域展现出巨大的应用潜力。ZnO纳米线阵列是由众多取向一致、排列规整的ZnO纳米线组成的有序结构，这种独特的阵列结构不仅继承了ZnO材料本身的优异性能，还因纳米线的高比表面积、量子限域效应和有序排列等特性，赋予了其许多独特的物理化学性质。

高比表面积是ZnO纳米线阵列的显著特征之一。由于纳米线的直径处