基本信息

---

下载

文档摘要

---

磁控溅射法生长AlN及其合金的物性与制备工艺研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的进程中，半导体材料作为电子信息产业的基石，始终占据着举足轻重的地位。其中，氮化铝（AlN）及其合金凭借一系列优异的物理化学性质，在半导体、电子等多个关键领域展现出巨大的应用潜力，成为了科研人员广泛关注与深入研究的焦点材料。

AlN是一种宽带隙III-V族化合物半导体材料，其晶体结构为纤锌矿型。这种材料具备诸多令人瞩目的特性，例如：高硬度，其硬度可达2×103kgf/mm2，这使得AlN在需要耐磨性能的应用场景中表现出色；高热导率，数值约为285W/（m?K），良好的热导