厚膜SOI基高压横向IGBT器件的关键技术与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代工业的飞速发展，电力电子技术在各个领域的应用愈发广泛，从日常的智能家电，到新能源交通工具，再到智能机器人等高端领域，都离不开电力电子技术的支持。在电力电子系统中，功率半导体器件扮演着核心角色，而绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为一种重要的功率半导体器件，凭借其控制能力强、互导电阻小、开关速度快等优点，成为了众多电力转换和控制应用的首选。在高压应用领域，基于厚膜绝缘体上硅（SOI）的高压横向IGBT（SOI-LIGBT）器件由于具有低导通电压、高开关速度以及便于实现高低压集成等独特优势，成为了