基本信息
文件名称：半导体初试复试真题答案手写板.pdf
文件大小：208.01 KB
总页数：2 页
更新时间：2025-07-29
总字数：约1.15千字
文档摘要
2013年
一、
1、空穴
2、准能级
3、简并
4、
二、简答题
1、硅、GaAs能带结构比较跃迁。发光材料选择哪种？
2、重参杂AlGsAs与砷化镓的高电子迁移率原理
3、隧道二极管的IV特性，图加原理
4、有效质量的概念、意义、作用
三、实验题
新题：M