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SOI横向功率器件分析概述

SOI(Silicon-On-Insulator)，即绝缘衬底上的硅，一种新型结构的硅材料，该技术在顶层硅和背衬底之间添加了一层埋氧化物埋层，具有特殊的性质。SOI材料拥有许多体硅不具备的特性：可以实现器件的介质隔离，相比传统材料具有更好的抗辐照能力，在很大程度上消除了体硅集成电路中带来负面影响的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势。并且近年来发展迅速，作为集成电路的一个分部，经历了从智能功率系统到片上功率系统的过程，被誉为“21世纪的硅集成技术”。SOI材料的埋氧层结