基本信息
文件名称：2025《经典SOI LDMOS器件电学性能分析概述》2000字.docx
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更新时间：2025-07-29
总字数：约2.86千字
文档摘要
经典SOILDMOS器件电学性能分析概述
目录
TOC\o1-3\h\u276771经典结构的击穿电压 1
315192经典结构的正向特性 2
275393经典结构的阈值电压 3
在体硅CMOS电路中，器件之间的隔离主要是通过PN结反偏的阱隔离来实现，有源层与衬底之间的隔离主要通过反偏的PN结实现ADDINNE.Ref.{FF5F2936-E30A-4BF4-B96C-364EBB99277C}[17]。而在SOICMOS电路中，器件之间以及有源层与衬底之间的隔离主要通过绝缘层实现，各个部分被完全隔离。SOI技术避免阱隔离所形成的寄生PN结电容