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题目超临界CO2对4H-SiC/SiO2界面特性的影响研究

摘要

碳化硅（SiC）作为典型的第三代宽禁带半导体，拥有很多优异的特性。与普通的Si相比，SiC器件具有耐高压、耐高频、耐高温、高寿命等特点，其中SiC器件的耐压是是同等硅器件的10倍，碳化硅肖特基管耐压可达2400V，碳化硅场效应晶体管耐压可达数万伏，且通态电阻并不很大。尽管碳化硅器件拥有广阔的应用前景但是其较大的SiO2/SiC界面的界面态密度却极大的限制了SiC器件性能的发挥。如何在不破坏原本