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文档摘要

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低维氧化锌体系p型掺杂与外场调控的理论探索与应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代材料科学与电子器件领域，低维氧化锌体系凭借其独特的物理性质和广泛的应用前景，成为了研究的焦点之一。氧化锌（ZnO）作为一种重要的宽带隙半导体材料，具有带隙宽（室温下约为3.37eV）和激子束缚能高（约为60meV）的特点，这使得它在光电器件、传感器、催化等诸多领域展现出巨大的应用潜力。而低维氧化锌材料，如纳米线、纳米带、量子点以及薄膜等，由于量子限域效应和高比表面积等特性，进一步拓展了其性能优势，为实现高性能电子器件提供了新的可能。

p型掺杂对于氧化锌体系而言至关重要。在半导体器件中，p