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随着集成电路的发展，在芯片制造领域中硅片的使用需求快速增长。硅片是

由悬浮区熔法和直拉法生长出的单晶硅棒切片制成。芯片制造企业为追求更低成

本和更高效率，通常希望单晶硅能够大尺寸化。采用悬浮区熔法生长单晶硅时，

受限于其平衡机制，目前无法实现直径200mm以上单晶硅的量产。直拉法因其

生长特性能够实现单晶硅的大尺寸化，但会产生氧杂质、缺陷过多等问题，因此

在选择直拉法生长大尺寸单晶硅时需对氧杂质、缺陷的控制方法进行研究。同时

单晶硅企业存在大量200mm直拉单晶炉，为提高大尺寸单晶