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文档摘要

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脉冲激光退火：Ni/SiC欧姆接触制备的创新与突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体材料和器件的研究始终处于前沿领域。碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的杰出代表，凭借其一系列卓越的物理特性，在众多关键领域展现出巨大的应用潜力和发展前景。

SiC具有宽禁带宽度，约为硅（Si）的3倍，这使得它能够在更高的温度、电压和频率下稳定工作。其击穿场强高达硅的10倍以上，意味着可以承受更高的电压而不发生击穿，大大提高了器件的耐压能力。同时，SiC的热导率是硅的3倍左右，具备出色的散热性能，能够有效降低器件在工作过程中的温度，提高其可靠性和稳定性。