基本信息

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文档摘要

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GaN材料电化学机械抛光技术与材料去除机理深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代电子领域，半导体材料始终是推动技术进步的核心要素。从第一代的硅（Si）、锗（Ge），到第二代的砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb），再到如今备受瞩目的以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，每一次材料的革新都带来了电子器件性能的飞跃，引领着电子产业迈向新的发展阶段。

氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的杰出代表，凭借其一系列独特且优异的物理化学性质，在众多前沿科技领域展现出了巨大的应用潜力，成为了当下研究的热点与焦点。其具有宽带隙特性，这使得GaN器件能够在更高的电压、频率