基本信息
文件名称：半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓(GaN)晶体管可靠性试验方法编制说明.pdf
文件大小：748.73 KB
总页数：12 页
更新时间：2025-08-04
总字数：约8.29千字
文档摘要
ICS31.080.30
CCSL42
中华人民共和国国家标准
GB/TXXXXX—XXXX/IEC63284:2022
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半导体器件基于感性负载开关应力的氮化
镓(GaN)晶体管可靠性试验方法
Semiconductordevices-Reliabilitytestmethodbyinductiveloadswitchingstress
forgalliumnitride(GaN)transis