蓝宝石衬底上氮化铝材料HVPE生长的关键技术与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，氮化铝（AlN）作为第三代半导体材料的重要代表，凭借其优异的物理性质，在现代科技领域中占据着举足轻重的地位。氮化铝具有6.2eV的直接宽带隙，这使其在蓝光和紫外发光材料领域展现出巨大的潜力，有望推动新一代照明和光电器件的发展。其高热导率、高电阻率、高击穿场强以及小介电系数等特性，使其成为高温、高频和大功率器件的理想电子材料，在5G通信、新能源汽车、航空航天等领域有着广泛的应用前景。在5G通信基站中，氮化铝基器件能够满足高频、高功率的信号处理需求，有效提升通信效