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文件名称:电子技术基础邓元庆课后习题答案解析.docx
文件大小:1.72 MB
总页数:10 页
更新时间:2025-08-05
总字数:约3.89万字
文档摘要

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思考题与习题1

1-1回答以下问题:

(1)半导体材料具有哪些主要特性?

(2)分析杂质半导体中多数载流子和少数载流子的来源;

(3)P型半导体中空穴的数量远多于自由电子,N型半导体中自由电子的数量远多于空穴,为什么它们对外却都呈电中性?

(4)已知温度为15℃时,PN结的反向饱和电流.IS=10

(5)试比较二极管在Q点处直流电阻和交流电阻的大小。

解:

(1)半导体的导电能力会随着温度、光照的变化或掺入杂质浓度的多少而发生显著改变,即半导体具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。

(2)杂质半导体中的多数载流子是由杂质原子提供的,例如N型半导体中一个杂质