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文件名称:深度解析:3nmGAAFET工艺研发中的技术创新与专利布局.docx
文件大小:36.84 KB
总页数:26 页
更新时间:2025-08-04
总字数:约1.57万字
文档摘要
深度解析:3nmGAAFET工艺研发中的技术创新与专利布局
一、深度解析:3nmGAAFET工艺研发中的技术创新与专利布局
1.1技术创新
1.1.1晶体管结构创新
1.1.2材料创新
1.1.3制造工艺创新
1.2专利布局
1.2.1专利申请数量
1.2.2专利技术领域
1.2.3专利布局策略
二、3nmGAAFET工艺的关键技术挑战与应对策略
2.1晶体管结构优化
2.2材料创新与挑战
2.3制造工艺的突破
2.4专利布局与竞争态势
三、3nmGAAFET工艺的市场前景与应用领域
3.1市场前景分析
3.2应用领域拓展
3.2.1移动计算领域
3.2.2