基本信息
文件名称：T_CASAS 043-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法.pdf
文件大小：5.6 MB
总页数：12 页
更新时间：2025-08-05
总字数：约1.04万字
文档摘要
ICS31.080
CCSL40/49CASA
第三代半导体产业技术创新战暗联盟
innovationalliance
团体标准
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
2024-11-19发布
第三代半导体