应变补偿AlInGaN超晶格材料：从特性研究到光电子器件应用的突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在光电子领域的蓬勃发展进程中，新型半导体材料的探索与应用始终是推动技术进步的核心驱动力。AlInGaN超晶格材料作为III-V族氮化物半导体家族中的重要成员，凭借其独特的材料特性和优异的光电性能，近年来在光电子器件研究领域中崭露头角，吸引了众多科研人员的目光，成为研究的热点。

AlInGaN超晶格材料是由AlN、InN、GaN等多种氮化物半导体材料以纳米级薄层交替生长而成的人工微结构材料。这种特殊的结构设计使得AlInGaN超晶格能够综合多种材料的优势，展现出普通材料难以企