基本信息
文件名称：T_CASAS 021-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)阈值电压测试方法.docx
文件大小：141.27 KB
总页数：24 页
更新时间：2025-08-05
总字数：约7.71千字
文档摘要
ICS31.080
CCSL40/49
CASA
第三代半导体产业技术创新战略联盟Chinaadvancedsemiconductorindustryinnovationalliance
团体标准
T/CASAS021—2024
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)阈值电压测试方法
Thresholdvoltagetestmethodforsiliconcarbidemetal-oxidesemiconductor
fieldeffecttransistors(Si