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微纳世界的建筑师：光刻技术深度解析

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?光刻工艺是半导体制造技术中重要组成部分，每个掩模层均需要光刻作为起始工艺点。一个具有4个金属层、0.13μm的CMOS（互补型金属氧化物半导体）集成电路制造工艺中，有474个工艺步骤，使用了超过30个掩模层，其中212个步骤与光

刻曝光相关，105个步骤与使用光刻胶图像的图案转移相关。光刻的重要性不仅因掩模层的需求，更重要的是它通常决定了下一个技术节点的限制因素。对于每一个节点，最小特征尺寸（线宽/栅长）以及线距都会降低至上一个技术节点的1/√2

（约70%），电路密度的降低系数为2。