基本信息
文件名称：T_CASAS 046-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法.docx
文件大小：107.74 KB
总页数：19 页
更新时间：2025-08-05
总字数：约6.54千字
文档摘要
ICS31.080
CCSL40/49CASA
第三代半导体产业技术创新战略联盟Chinaadvancedsemiconductorindustryinnovationalliance
团体标准
T/CASAS046—2024
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
(SiCMOSFET)动态