基本信息
文件名称：T_CASAS 046-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法.pdf
文件大小：3.55 MB
总页数：11 页
更新时间：2025-08-05
总字数：约9.21千字
文档摘要
ICS31.080
CCSL40/49CASA
第三代半导体产业技术创新战暗联盟
innovationalliance
团体标准
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
试验方