基本信息
文件名称：T_CASAS 042-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法.docx
文件大小：62.64 KB
总页数：20 页
更新时间：2025-08-05
总字数：约9.45千字
文档摘要
ICS31.080
CCSL40/49
CASA
第三代半导体产业技术创新战略联盟Chinaadvancedsemiconductorindustryinnovationalliance
团体标准
T/CASAS042—2024
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)高温栅偏试验方法
Hightemperaturegatebiastestmethodforsiliconcarbidemetal-oxide
semiconductorfiledeffectt