基本信息
文件名称：T_CASAS 044-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高压高温高湿反偏试验方法.pdf
文件大小：5.53 MB
总页数：12 页
更新时间：2025-08-05
总字数：约1.05万字
文档摘要
ICS30.080
CCSL40/49CASA
第三代半导体产业技术创新战暗联盟
innovationalliance
团体标准
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
试验方