基本信息
文件名称:台积电半导体制造工艺在存储设备中的应用报告.docx
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总页数:26 页
更新时间:2025-08-06
总字数:约1.47万字
文档摘要
台积电半导体制造工艺在存储设备中的应用报告模板范文
一、:台积电半导体制造工艺在存储设备中的应用报告
1.1项目背景
1.2技术概述
1.2.1光刻工艺
1.2.2蚀刻工艺
1.2.3离子注入工艺
1.2.4清洗工艺
1.2.5化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)工艺
1.2.6热处理工艺
1.3应用案例
1.3.13DNAND存储器
1.3.2存储器芯片
1.3.3存储器模块
1.4发展趋势
2.台积电半导体制造工艺在存储设备中的关键技术分析
2.1光刻工艺在存储设备中的应用
2.1.1193nm光刻技术的局限性
2.1.2EUV光刻技术的优势