国家标准《半导体器件基于感性负载开关应力的氮化镓

(GaN)晶体管可靠性试验方法》（征求意见稿）编制说明

一、工作简况

1任务来源

《半导体器件基于感性负载开关应力的氮化镓(GaN)晶体管可靠性试验方

法》标准制定是2024年第六批国家标准计划项目，计划项目批准文号：国标委发

〔2024〕35号，计划代号T-339，由中华人民共和国工业和信息化

部提出，由全国半导体器件标准化技术委员会（SAC/TC78）归口，主要承办单

位为工业和信息化部电子第五研究所，电子科技大学、湖南大学、杰华特微电子

股份有限公司等单位参与编制