高速电子器件中Ⅲ-Ⅴ族半导体与High-κ氧化物界面模拟计算：理论、挑战与展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息化时代，高速电子器件作为信息技术的核心支撑，其性能的提升对于推动通信、计算机、人工智能等众多领域的发展具有至关重要的作用。随着摩尔定律逐渐逼近物理极限，传统的硅基半导体器件在提高电子迁移率和降低功耗等方面面临着严峻的挑战。Ⅲ-Ⅴ族半导体，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等，因其具有高电子迁移率、高饱和电子速度以及优异的光电性能等特点，成为了制备高速、高频、低功耗电子器件的理想材料，被广泛应用于5G通信、卫星通信、雷达、光通信等领域。

在Ⅲ-Ⅴ族半导体器件的