基本信息

---

下载

文档摘要

---

探秘4d与5d过渡金属氧化物人工微结构的原位电子世界

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学领域，过渡金属氧化物凭借其丰富的物理性质和广泛的应用前景，一直是研究的重点对象。其中，4d、5d过渡金属氧化物由于其独特的电子结构，展现出许多引人注目的特性，使其在众多领域中具有巨大的应用潜力。

从电子结构角度来看，4d、5d过渡金属氧化物中的电子具有较大的轨道半径和较强的自旋-轨道耦合作用。这种特性使得它们在电子学领域展现出独特的电学性质，如一些4d、5d过渡金属氧化物表现出金属-绝缘体转变、巨磁电阻效应等。以ReO?为例，它是一种新型拓扑材料，具有特殊的电子能带结构，为拓扑