功率UMOSFET在高功率微波下的损伤剖析与加固策略探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，电子系统在国防、通信、工业等领域得到了广泛应用。然而，电子系统在复杂的电磁环境中面临着严峻的挑战，高功率微波（HighPowerMicrowave,HPM）作为一种强电磁干扰源，对电子系统的可靠性和安全性构成了巨大威胁。高功率微波是指峰值功率在100MW以上、频率在1GHz-300GHz范围内的电磁波，具有功率高、频率范围宽、作用时间短等特点。当高功率微波作用于电子系统时，会通过各种耦合途径进入系统内部，对电子器件产生干扰和损伤，导致系统性能下降甚至完全失效