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文件名称:模拟电子技术(第2版) 习题解答 习题3参考解答.docx
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更新时间:2025-08-07
总字数:约1.45千字
文档摘要

习题3参考解答

3.1

不可以,因为BJT的两个PN结掺杂浓度、面积等制作工艺与二极管不同

3.2

答:集电极结反偏,发射结正偏

3.3

答:不可以,因为为了吸收更多的电子,集电极面积大,为发射更多的电子发射极掺杂浓度高。交换后,集电极发射电子的能力很低,三极管的放大能力降低。

3.4

答:BJT的输出特性在VCE>1V以后因为发射极发射出来的所有电子都被集电极吸收,此时再增加集电极与发射极之间的电压,发射极也没有更多的电子向外发射了。所以VCE>1V以后的输出特性是平坦的。由于基极的空穴被发射区来的电子中和,为了维持基区空穴的浓度不变,所以要向电源索取空穴,不断的向基区补充。

3.5