基本信息
文件名称:半导体器件可靠性与失效分析微电子.ppt
文件大小:2.97 MB
总页数:10 页
更新时间:2025-08-07
总字数:约4.07千字
文档摘要
二极管集成电路失效模式:漏电或短路,击穿特性劣变,正向压降劣变,开路可高阻失效机理:电迁移,热载流子效应,与时间相关的介质击穿(TDDB),表面氧化层缺陷,绝缘层缺陷,外延层缺陷声表面波器件MEMS压力传感器MEMS器件的主要失效机理1.粘附----两个光滑表面相接触时,在力作用下粘附在一起的现象;2.蠕变----机械应力作用下原子缓慢运动的现象;变形、空洞;3.微粒污染----阻碍器件的机械运动;4.磨损----尺寸超差,碎片卡入;5.疲劳断裂----疲劳裂纹扩展失效。真空电子器件(vacuumelectro