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GaN器件的研究国内外文献综述

A1GaN/GaN异质结器件在二十世纪九十年代就有出现。第一个A1GaN/GaN异质结是以蓝宝石为衬底，之后器件也随之出现。该器件的优点就是能够在异质结界面出现高浓度的二维电子气，使器件的性能得到很好的提升，尽管优点很多，但任然有一些存在的问题，如有栅漏、电流崩塌、器件可靠性差等。因此，GaN器件的研究仍面临着很多的挑战，研究重点主要体现在以下几个方面:改善击穿电压、改善漏电现象、提高器件稳定性、提高器件功率。?

（1）改善击穿电压。击穿电压是限制器件输出功率的一个关键因