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文件名称:Al基氧化物包覆ZnO作为电子传输层的QLED器件构筑及性能研究.pdf
文件大小:3.19 MB
总页数:73 页
更新时间:2025-08-08
总字数:约10.77万字
文档摘要
摘要
胶体量子点(QDs)具有带隙可调、半峰宽窄和光电性能优异的特点,是下一代显
QLEDQLED
示设备即量子点发光二极管()的关键材料,发展至今,具有发光效率高、
色彩纯度高、稳定性好等诸多优势,引起学术界极大兴趣。影响QLED性能的关键因素
是作为发光层的QDs,而合适的电子传输层(ETL)材料能够有力地推动器件性能提升。
目前最常用的