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文件名称：集成电路制造技术——原理与工艺（第3版）课件 第1章 硅片制造.pptx
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总页数：56 页
更新时间：2025-08-09
总字数：约4.58千字
文档摘要
集成电路制造技术集成电路制造技术JICHENGDIANLUZHIZAOJISHU——原理与工艺哈尔滨工业大学/田丽
硅衬底制备JICHENGDIANLUZHIZAOJISHU
硅片制造第一章硅片制造JICHENGDIANLUZHIZAOJISHU
1.4硅晶体中的杂质1.5切制硅片目录CONTENTS1.1硅晶体的结构特点1.2单晶硅衬底制备1.3硅晶体缺陷
1.1单晶硅特性电学性质（室温）SiGeGaAs禁带宽度（eV）1.120.671.43禁带类型间接间接直接晶格电子迁移率（cm2/V·s）135039008600