探秘n-ZnO异质pn结：压电电子学与压电光电子学效应的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体器件在现代社会中的应用愈发广泛，从日常的电子设备到高端的科研仪器，都离不开半导体技术的支持。在众多半导体材料中，氧化锌（ZnO）凭借其独特的物理性质，如宽禁带（3.37eV）、大激子束缚能（60meV）以及良好的化学稳定性，成为了研究的热点之一。特别是n-ZnO异质pn结，由于其结合了n型ZnO和p型半导体的特性，展现出了一系列引人注目的压电电子学与压电光电子学效应，这些效应不仅为基础研究提供了新的视角，也为新型半导体器件的开发带来了广阔的应用前景