基本信息
文件名称:周期势场下GaAs二维电子系统量子输运特性与应用探索.docx
文件大小:43.15 KB
总页数:32 页
更新时间:2025-08-09
总字数:约3.05万字
文档摘要

周期势场下GaAs二维电子系统量子输运特性与应用探索

一、引言

1.1研究背景

半导体材料作为现代信息技术的基石,在过去几十年里经历了飞速的发展与变革,从早期的锗材料到如今广泛应用的硅基半导体,每一次材料的革新都极大地推动了电子器件性能的提升和信息技术的进步。自1947年第一个晶体管问世以来,半导体技术开启了电子学新时代,为集成电路的发展奠定了基础。随着对半导体物理研究的深入,科学家们不断探索新型半导体材料,以满足日益增长的高性能电子器件需求。

砷化镓(GaAs)作为第二代半导体材料的代表,凭借其独特的物理性质在半导体领域占据着重要地位。GaAs属于Ⅲ-V族化合物半导体,具有