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高温扩散炉用硅制晶舟
1范围
本文件规定了高温扩散炉用硅制晶舟的硅材料要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、
运输、贮存、随行文件和质量承诺。
本文件适用于硅单晶、硅多晶以拼接式、熔接式方式加工而成的高温扩散炉用直径150～350mm的硅
制晶舟。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本
文件。
GB/T191包装储运图示标志
GB/T14264半导体材料术语
GB/T23805精细陶瓷室温拉伸强度试验方法
GB/T29505硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T39145硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法
GB/T40279硅片表面薄膜厚度的测试光学反射法
3术语和定义
GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
平面度flatness
产品表面与理想平面之间最大偏离程度。
平行度Parallelism
产品一个平面相对于基准平面之间最大偏离程度。
4外形结构
a)三沟棒硅制晶舟b)四沟棒硅制晶舟
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标引序号说明：
1——天板
2——沟棒
3——法兰
图1外形结构示意图
5硅材料要求
硅材料应符合表1的规定。
表1硅材料要求。
项目硅单晶硅多晶
生长方式硅单晶直拉法（CZ）铸锭多晶硅（DS），硅多晶气相沉积法（CVD）
晶向100--
晶向偏离度≤1°--
导电类型P--
掺杂剂硼--
183183
氧含量（以原子数计）＜1.2×10atoms/cm＜0.8×10atoms/cm
163183
碳含量（以原子数计）＜5.0×10atoms/cm＜1.0×10atoms/cm
晶体缺陷无位错、滑移、孪晶、旋涡等--
6技术要求
外观
硅制晶舟的表面及端面（包括倒角面）应无划伤、裂纹、缺口、刮伤和胶印。
注：胶印适用于熔接部位。
几何尺寸
硅制晶舟的几何尺寸应符合表2的规定。
表2几何尺寸