基本信息

---

下载

文档摘要

---

摘要

研发低成本、高速度、低能耗的二极管器件对未来电子信息产业的发展具有重要

的科学意义和商业价值。相比于p-n结二极管，肖特基结二极管具有高速开关、小噪声、

低功耗、高响应等优势，广泛应用于转换器、放大器、高速电路等领域。但是，肖特

基结二极管存在理想因子高、整流比低和漏电流大的问题，限制了其在光电二极管领

域的进一步应用。因此，构建具有高性能的肖特基结二极管具有重要的科学意义。近

年来，二维半导体层状材料（2DLMs）以其优异的电学性能成为下一代电子器件的理

想候选。其中，二硒化钨（WSe