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文件名称:探索超高垂直磁各向异性L10-MnGa磁性多层膜构建自旋电子学器件新范式.docx
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更新时间:2025-08-10
总字数:约2.77万字
文档摘要
探索超高垂直磁各向异性L10-MnGa磁性多层膜构建自旋电子学器件新范式
一、引言
1.1研究背景与意义
随着信息技术的飞速发展,对电子器件性能的要求日益提高,自旋电子学应运而生并迅速成为凝聚态物理和材料科学领域的研究热点。传统电子学主要利用电子的电荷属性来实现信息的传输、处理和存储,而自旋电子学则在此基础上,进一步利用电子的自旋属性,开辟了信息处理的新途径,有望突破传统电子学面临的瓶颈,如功耗高、集成度受限等问题。
自1988年巨磁电阻(GMR)效应被发现以来,自旋电子学取得了长足的发展。GMR效应在磁性多层膜中被观测到,当施加外磁场时,其电阻变化率高达,这一发现为自旋电子学的发