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文件名称:像差校正透射电子显微学:解锁铁电薄膜畴结构的微观密码.docx
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更新时间:2025-08-10
总字数:约2.64万字
文档摘要
像差校正透射电子显微学:解锁铁电薄膜畴结构的微观密码
一、引言
1.1研究背景与意义
在现代材料科学与电子学领域,铁电薄膜凭借其独特的物理性质,展现出极为广阔的应用前景,成为了众多科研人员关注的焦点。铁电材料的定义为内部存在自发极化,且极化方向能够在外加电场作用下发生改变的一类功能材料。这种特殊的性质使得铁电薄膜在非易失性存储器、传感器、场效应晶体管以及光学器件等诸多领域都具有重要的应用价值。例如,在非易失性存储器中,铁电薄膜利用其稳定的极化状态来存储信息,具有高速读写、低功耗以及抗辐射等优点,有望成为下一代存储技术的关键材料;在传感器领域,基于铁电薄膜的压电效应和热释电效应,可以制备出高