反转型InAs/GaSb量子阱结构特性及异质结红外光电晶体管的前沿探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域的持续发展进程中，新型半导体材料与器件结构的研究始终是推动技术进步的核心驱动力。其中，InAs/GaSb量子阱结构凭借其独特的能带特性，在众多半导体材料体系中脱颖而出，成为了研究的焦点之一。

InAs/GaSb量子阱属于典型的II类半导体异质结构，其最显著的特征是InAs的导带底低于GaSb的价带顶，这种特殊的能带排列方式造就了一系列新奇的物理性质。在该量子阱结构中，电子和空穴分别被局域在InAs层和GaSb层，形成了空间上分离的电子气和空穴气。这种