基本信息
文件名称：【经典SOI LDMOS器件电学性能分析概述2000字】 .pdf
文件大小：1.77 MB
总页数：4 页
更新时间：2025-08-10
总字数：约3.99千字
文档摘要
经典SOILDMOS器件电学性能分析概述
目录
1经典结构的击穿电压1
2经典结构的正向特性2
3经典结构的阈值电压4
在体硅CMOS电路中，器件之间的隔离主是通过PN结反偏的阱隔离来实
现，有源层与衬底之间的隔离主通过反偏的PN结实现〔I。而在SOICMOS电
路中，器件之间以及有源层与衬底之间的隔离主通过绝缘层实现，各个部分被
完全隔离。SOI技术避免阱隔离所形成的寄生PN结电容，因而整个